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2014年全球半导体资本支出
来源:电子产品世界
根据市调机构ICInsights统计，2014年全球半导体厂资本支出上看622亿美元，年增率约8%，前三大资本支出最高的业者分别为三星电子、英特尔和台积电，3者资本支出分别为115亿美元、110亿美元和100亿美元，贡献今年半导体产业资本支出约51.8%。
2014年全球半导体产业资本支出攀升，主要是受惠行动装置商机推动，对于智慧型手机平板电脑、物联网(IoT)相关晶片需求提升，带动全球半导体厂竞相扩充产能。主要集中在先进制程技术如20/16/14奈米制程、3DNAND制程技术等。
2014年资本支出攀升比率最高的是快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)较2013年成长86%，达16亿美元，主要是与东芝(Toshiba)合资扩建3DNAND晶圆厂投资增加，预计2014年下半进入量产;美光2014年资本支出也相当强劲，年增率约58%。
2014年全球半导体产业资本支出攀升，主要是受惠行动装置商机推动，对于智慧型手机平板电脑、物联网(IoT)相关晶片需求提升，带动全球半导体厂竞相扩充产能。主要集中在先进制程技术如20/16/14奈米制程、3DNAND制程技术等。
2014年资本支出攀升比率最高的是快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)较2013年成长86%，达16亿美元，主要是与东芝(Toshiba)合资扩建3DNAND晶圆厂投资增加，预计2014年下半进入量产;美光2014年资本支出也相当强劲，年增率约58%。
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